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- HY-3005電導率鹽密測試儀
詳細介紹：
一、概述
HY-3005電導率鹽密測試儀用于電力系統防污閃檢測，是測量絕緣子表面等值附鹽密度（以下簡稱“鹽密”）的專用測量儀器，同時還可以測量溶液的電導率和溫度。整機以其測量精度高、測量范圍大、使用方便等特點廣泛地應用于電力、教學、科研及其它相關行業。
污穢等級的劃分和污穢等級分布圖的繪制是防污閃工作的基礎，準確的污穢等級分布圖是選擇輸、變電設備電瓷外絕緣爬距的依據。絕緣子表面等值附鹽密度值是判斷電瓷外絕緣污穢狀況嚴重程度的定量數據，是劃分污穢等級和繪制污區圖的重要依據之一。因此鹽密測量工作對電力系統安全運行有著重要的意義。
參照標準：
GB/T16434–1996《高壓架空線路和發電廠、變電所環境污穢分級及外絕緣選擇標準》
GB/T16434-200X《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分：定義、信息和一般原則》
Q/GDW152-2006《高壓架空線路和發電廠、變電所環境污區分級及外絕緣選擇標準》
相關術語：
1）參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator
XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子（根據GB/T 7253），通常7~9片組成一串用來測量現場污穢度。
2）爬電距離 creepage distance
在兩個導電部分之間，沿絕緣體表面的最短距離。
注：水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認為是爬電距離的構成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層，則該部分應認為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應包括在爬電距離內。
3）統一爬電比距 unified specific creepage distance（USCD）
絕緣子的爬電距離與其兩端承擔的最高運行電壓（對于交流系統，為最高相電壓）之比，mm/kV。
4）附鹽密度 salt deposit density（SDD）
人工涂覆于給定絕緣子表面（不包括金屬部件和裝配材料）上氯化鈉總量除以表面積，mg/cm²。
5）等值附鹽密度 equivalent salt deposit density（ESDD）
絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量，mg/cm²。
6）不溶物密度（簡稱灰密） non soluble deposit density（NSDD）
絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積，mg/cm²。
7）現場等值鹽度 site equivalent salinity（SES）
根據GB/T 4585進行鹽霧試驗時的鹽度。用該鹽度試驗，在相同絕緣子和相同電壓下，產生的泄露電流峰值與現場自然污穢條件下的泄露電流基本相同。
8）現場污穢度 site pollution severity（SPS）
在適當的時間段內測量到的污穢嚴重程度ESDD/NSDD或SES的最大值。
9）現場污穢度等級 site pollution severity class
將污穢嚴重程度從非常輕到非常嚴重按SPS的分級。
10）帶電系數K1 energy coefficient K1
同形式絕緣子帶電所測ESDD/NSDD（SES）值與非帶電所測ESDD/NSDD（SES）值之比，K1一般為1.1~1.5。
HY-3005電導率鹽密測試儀用于電力系統防污閃檢測，是測量絕緣子表面等值附鹽密度（以下簡稱“鹽密”）的專用測量儀器，同時還可以測量溶液的電導率和溫度。整機以其測量精度高、測量范圍大、使用方便等特點廣泛地應用于電力、教學、科研及其它相關行業。
污穢等級的劃分和污穢等級分布圖的繪制是防污閃工作的基礎，準確的污穢等級分布圖是選擇輸、變電設備電瓷外絕緣爬距的依據。絕緣子表面等值附鹽密度值是判斷電瓷外絕緣污穢狀況嚴重程度的定量數據，是劃分污穢等級和繪制污區圖的重要依據之一。因此鹽密測量工作對電力系統安全運行有著重要的意義。
參照標準：
GB/T16434–1996《高壓架空線路和發電廠、變電所環境污穢分級及外絕緣選擇標準》
GB/T16434-200X《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分：定義、信息和一般原則》
Q/GDW152-2006《高壓架空線路和發電廠、變電所環境污區分級及外絕緣選擇標準》
相關術語：
1）參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator
XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子（根據GB/T 7253），通常7~9片組成一串用來測量現場污穢度。
2）爬電距離 creepage distance
在兩個導電部分之間，沿絕緣體表面的最短距離。
注：水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認為是爬電距離的構成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層，則該部分應認為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應包括在爬電距離內。
3）統一爬電比距 unified specific creepage distance（USCD）
絕緣子的爬電距離與其兩端承擔的最高運行電壓（對于交流系統，為最高相電壓）之比，mm/kV。
4）附鹽密度 salt deposit density（SDD）
人工涂覆于給定絕緣子表面（不包括金屬部件和裝配材料）上氯化鈉總量除以表面積，mg/cm²。
5）等值附鹽密度 equivalent salt deposit density（ESDD）
絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量，mg/cm²。
6）不溶物密度（簡稱灰密） non soluble deposit density（NSDD）
絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積，mg/cm²。
7）現場等值鹽度 site equivalent salinity（SES）
根據GB/T 4585進行鹽霧試驗時的鹽度。用該鹽度試驗，在相同絕緣子和相同電壓下，產生的泄露電流峰值與現場自然污穢條件下的泄露電流基本相同。
8）現場污穢度 site pollution severity（SPS）
在適當的時間段內測量到的污穢嚴重程度ESDD/NSDD或SES的最大值。
9）現場污穢度等級 site pollution severity class
將污穢嚴重程度從非常輕到非常嚴重按SPS的分級。
10）帶電系數K1 energy coefficient K1
同形式絕緣子帶電所測ESDD/NSDD（SES）值與非帶電所測ESDD/NSDD（SES）值之比，K1一般為1.1~1.5。